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Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FS75R12KE3 G
vorlaufige Daten preliminary data
Hochstzulassige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt Verlustleistung total power dissipation Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral It value Isolations Prufspannung insulation test voltage tp= 1ms Tc= 80C Tc= 25C tp= 1ms, Tc= 80C VCES IC, nom IC ICRM 1200 75 100 150 V A A A
Tc= 25C
Ptot
350
W
VGES
+/- 20
V
IF
75
A
IFRM
150
A
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125C
It
1,19
kAs
RMS, f= 50Hz, t= 1min
VISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor Emitter Sattigungsspannung collector emitter satration voltage Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazitat input capacitance Ruckwirkungskapazitat reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current VGE= 15V, Tvj= 25C, IC= IC,nom VGE= 15V, Tvj= 125C, IC= IC,nom VCE= VGE, Tvj= 25C, IC= 3mA VCEsat min. 5 typ. 1,7 2 5,8 max. 2,1 t.b.d. 6,5 V V V
VGE(th)
VGE= -15V...+15V
QG
-
0,7
-
C
f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cies
5,3
nF
f= 1MHz, Tvj= 25C, VCE= 25V, VGE= 0V
Cres
0,2
nF
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25C
ICES
-
-
5
mA
VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25C
IGES
-
-
400
nA
prepared by: Mark Munzer approved: Martin Hierholzer
date of publication: 2001-08-16 revision: 2
1 (8)
Datenblatt_FS75R12KE3G_V2.xls 2001-08-16
Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FS75R12KE3 G
vorlaufige Daten preliminary data
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
IC= IC, nom, VCC= 600V Einschaltverzogerungszeit (induktive Last) turn on delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V Abschaltverzogerungszeit (induktive Last) turn off delay time (inductive load) VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn on energy loss per pulse Ausschaltverlustenergie pro Puls turn off energy loss per pulse Kurzschlussverhalten SC data Modulinduktivitat stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip Tc= 25C VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 25C VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V, L= 70nH VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 125C IC= IC, nom, VCC= 600V, L= 70nH VGE= 15V, RG= 4,7, Tvj= 125C tP 10sec, VGE 15V, Tvj 125C VCC= 900V, VCEmax= VCES - LCE *di/dt Eon tf 65 90 7 ns ns mJ td,off 420 520 ns ns tr 30 45 ns ns td,on 260 285 ns ns min. typ. max.
Eoff
-
9,5
-
mJ
ISC
-
300
-
A
LCE
-
21
-
nH
RCC/EE
-
1,8
-
m
Charakteristische Werte / characteristic values
Diode Wechselrichter / diode inverter
Durchlassspannung forward voltage Ruckstromspitze peak reverse recovery current IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 25C IF= IC, nom, VGE= 0V, Tvj= 125C IF=IC,nom, -diF/dt= 2000A/s VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125C Sperrverzogerungsladung recoverred charge IF=IC,nom, -diF/dt= 2000A/s VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125C Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF=IC,nom, -diF/dt= 2000A/s VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 25C VR= 600V, VGE= -10V, Tvj= 125C Erec 3 6 mJ mJ Qr 7 14 C C IRM 90 100 A A VF 1,65 1,65 2,1 t.b.d. V V
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Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FS75R12KE3 G
vorlaufige Daten preliminary data
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R100 deviation of R100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value Tc= 25C R25 R/R min. typ. 5 max. k
Tc= 100C, R100= 493
-5
-
5
%
Tc= 25C
P25
-
-
20
mW
R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)]
B25/50
-
3375
-
K
Thermische Eigenschaften / thermal properties
Innerer Warmewiderstand; DC thermal resistance, juncton to case; DC Ubergangs Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Hochstzulassige Sperrschichttemp. maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Transistor Wechelr. / transistor inverter Diode Wechselrichter / diode inverter pro Modul / per module Paste= 1W/m*K / grease= 1W/m*K RthJC 0,009 0,35 0,58 K/W K/W K/W
RthCK
Tvjmax
-
-
150
C
Tvjop
-40
-
125
C
Tstg
-40
-
125
C
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Gehause, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung mounting torque Gewicht weight Schraube M5 screw M5 M 3 Al2O3
225
-
6
Nm
G
300
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with the belonging technical notes. 3 (8)
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Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FS75R12KE3 G
vorlaufige Daten preliminary data
Ausgangskennlinie (typisch) output characteristic (typical)
150 135 120 105 90 IC [A] 75 60 45 30 15 0 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0
Tvj = 25C Tvj = 125C
IC= f(VCE) VGE= 15V
2,5
3,0
3,5
Ausgangskennlinienfeld (typisch) output characteristic (typical)
150 135 120 105 90 IC [A] 75 60 45 30 15 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VCE [V] 3,0
VGE=19V VGE=17V VGE=15V VGE=13V VGE=11V VGE=9V
IC= f(VCE) Tvj= 125C
3,5
4,0
4,5
5,0
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Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FS75R12KE3 G
vorlaufige Daten preliminary data
Ubertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical)
150 135 120 105 90 IC [A] 75 60 45 30 15 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10
Tvj = 25C Tvj = 125C
IC= f(VGE) VCE= 20V
11
12
13
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) forward caracteristic of inverse diode (typical)
150 135 120 105 90 IF [A] 75 60 45 30 15 0 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4
Tvj = 25C Tvj = 125C
IF= f(VF)
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
5 (8)
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Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FS75R12KE3 G
vorlaufige Daten preliminary data
Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical)
20 18 16 14 E [mJ] 12 10 8 6 4 2 0 0 15 30 45
Eon Eoff Erec
Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
VGE=15V, RGon=RGoff=4,7, VCE=600V, Tj=125C
60
75 IC [A]
90
105
120
135
150
Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical)
20 18 16 14 E [mJ] 12 10 8 6 4 2 0 0 5 10 15
Eon Eoff Erec
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
VGE=15V, IC=75A, VCE=600V, Tj=125C
20
25
30
35
40
45
RG []
6 (8)
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Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FS75R12KE3 G
vorlaufige Daten preliminary data
Transienter Warmewiderstand Transient thermal impedance
1
ZthJC = f (t)
ZthJC [K/W]
0,1
Zth : IGBT Zth : Diode
0,01 0,001
0,01 t [s]
0,1
1
i ri [K/kW] : IGBT i [s] : IGBT ri [K/kW] : Diode i [s] : Diode
1 146,98 6,499E-02 243,65 6,499E-02
2 176,19 2,601E-02 292,44 2,601E-02
3 20,20 2,364E-03 32,94 2,364E-03
4 6,63 1,187E-05 10,97 1,187E-05
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA)
200 175 150 125 IC [A] 100 75 50 25 0 0 200 400 600 VCE [V]
IC,Chip IC,Chip
VGE=15V, Tj=125C
800
1000
1200
1400
7 (8)
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Technische Information / technical information
IGBT-Module IGBT-Modules
FS75R12KE3 G
vorlaufige Daten preliminary data
Gehausemae / Schaltbild Package outline / Circuit diagram
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